产品中心
- 全国服务热线
- (86)755-2398 1185
[ 产品概要]
?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET。
耐高压?低导通电阻?高速开关、实现整机的小型化和节能化。
特长
?• N-ch SiC功率MOSFET
• 低导通电阻
• 高温时的导通电阻增加小
• 高速开关
产品规格
绝对最大额定值(Ta=25ºC) |
||
Rated parameters |
Standard value |
Conditions |
Drain-Source voltage VDSS(V) |
600 |
|
Gate-Source voltage VGSS(V) |
-3 ~+22 |
|
Drain current(continuous) ID(A) |
10 |
Please use the device with SOA(safety operation area) |
Source current(body Di) IS |
- |
|
Total power dissipation PD |
- |
|
Channel temperature Tch(ºC) |
150 |
|
Storage temperature Tstg(ºC) |
-55 ~+150 |
|

Copyright 2020 © 深圳市顺百科技有限公司页面版权所有 粤ICP备11053228号
Copyright 2020 © 深圳市顺百科技有限公司页面版权所有 粤ICP备11053228号 网站建设:中企动力 深圳