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肖特基势垒二极管

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详细介绍

[ 产品概要]

?SiC(碳化硅)PlanerMOSFET
耐高压?低导通电阻?高速开关、实现整机的小型化和节能化。

特长

?• N-ch SiC功率MOSFET
• 
低导通电阻
• 高温时的导通电阻增加小
• 高速开关

产品规格

 

绝对最大额定值(Ta=25ºC)

Rated parameters

Standard value

Conditions

Drain-Source voltage VDSS(V)

600

 

Gate-Source voltage VGSS(V)

-3 +22

 

Drain current(continuous) ID(A)

10

Please use the device with SOA(safety operation area)

Source current(body Di) IS

-

 

Total power dissipation PD

-

 

Channel temperature Tch(ºC)

150

 

Storage temperature Tstg(ºC)

-55 +150

 

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