产品中心

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详细介绍

[ 产品概要]

?电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

特长

?• 0.9V驱动型Nch 小信号MOSFET

产品规格

 

绝对最大额定值(Ta=25ºC)

Rated parameters

Standard value

Conditions

Drain-Source voltage VDSS(V)

50

 

Gate-Source voltage VGSS(V)

±8

 

Drain current(continuous) ID(A)

±0.2

 

Source current(body Di) IS(A)

0.125

 

Total power dissipation PD(W)

0.15

Each terminal mounted on a recommended land pattern

Channel temperature Tch(ºC)

150

 

Storage temperature Tstg(ºC)

-55 +150

 

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