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详细介绍
[ 产品概要]
?电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
特长
?• 10V驱动型Nch+Pch 中功率MOSFET
产品规格
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绝对最大额定值(Ta=25ºC) |
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Rated parameters |
Standard value |
Conditions |
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Drain-Source voltage VDSS(V) |
50 |
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Gate-Source voltage VGSS(V) |
±8 |
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Drain current(continuous) ID(A) |
±0.2 |
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Source current(body Di) IS(A) |
0.125 |
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Total power dissipation PD(W) |
0.15 |
Each terminal mounted on a recommended land pattern |
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Channel temperature Tch(ºC) |
150 |
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Storage temperature Tstg(ºC) |
-55 ～+150 |
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